Будущие релизы Hardware (обновлено октябрь 2023)

Это статья-обзор вскрывает предстоящее аппаратное обеспечение и производственные технологии. Контент будет очень полезна в первую очередь пользователям, следящим за последней актуальной информацией предстоящего компьютерного мейнстрим-железа. Данный обзор по мере поступления свежих данных станет регулярно обновляться, то есть поддерживать растущий список информации, относящейся к предстоящим релизам оборудования на основе утечек и официальных объявлений при обнаружении. Очевидно, что вокруг неизданного железа станет ходить тонна всевозможных слухов и сплетен, и основная цель — исключить безумие.

В дополнение к предстоящим новостям Hardware, структура публикации будет регулярно корректироваться для наилучшей организации информации. Каждый раз, когда в обзор вносятся важные изменения, он вновь появляться на главной странице с «новым» баннером. Источником контента является одноимённая статья ресурса TechPowerUp.com, подписавшего NDA-соглашение, поэтому никаких утечек связанных с нарушением правил конфиденциальности публиковаться не будет.

Последние изменения (27 октября)

Обновлено:

• APU AMD Zen 4 для Socket AM5
• APU AMD Phoenix 2
• Процессоры AMD Zen 5 / Ryzen 8000-серии
• AMD Zen 6
• Intel Meteor Lake
• Intel Lunar Lake
• Intel Sierra Forest
• AMD RDNA 4 / Radeon RX 8000-серии
• Архитектура Intel Battlemage
• TSMC 3-нм
• Samsung 3-нм

Добавлено:

• Intel Raptor Lake Refresh Mobile
• Процессоры NVIDIA Arm для настольных ПК
• NVIDIA GeForce RTX 4070 Super
• NVIDIA GeForce RTX 4070 Ti Super
• NVIDIA GeForce RTX 4080 Super
• AMD Radeon RX 7600 XT 10 ГБ и 12 ГБ
• Графическая память HBM3e
• Графическая память HBM4
• 300+-слойная Samsung 3D NAND Flash

Удаленные запущенные продукты:
• Ryzen 5 7500F, Ryzen 5 5100, Zen 4 Threadripper, Raptor Lake Refresh, RX 7700 XT, RX 7800 XT, графическая память HBM 3, Thunderbolt 5
• Удален Alder Lake-X «Fishhawk Falls», который, похоже, отменен

По возможноси будут добавлены ссылки на источники, но только для новых и обновленных записей, но не старых.

Процессоры

---

APU AMD Zen 4 для сокета AM5 [обновлено]

• Дата выхода: Неизвестно
• Мобильная версия будет запущена в начале 2023 года
• Кодовое название «Phoenix»
• Наследник «Rembrandt»
• Основан на процессорных ядрах Zen 4
• Сокет AM5, DDR5
• Без поддержки PCIe 5.0
• 4 полосы для процессора, плюс 4 для чипсета
• Поддержка памяти: DDR5-5600, LPDDR5-7600 и выше с разгоном
• iGPU: Radeon 780M, на базе RDNA3, 12 CU, 768 ядер, тот же двойной процессор, что и Navi 31, до 2.9 ГГц
• DisplayPort 21, HDMI 2.1, AV1 кодирование
• 4 нм TSMC EUV, 178 мм², 25 миллиардов транзисторов
• Новое обновление AGESA добавляет поддержку
• Монлитный кристалл, 8/16

AMD Phoenix 2 APU [обновлено]

• Дата выхода: неизвестна, возможно, 2023 г.
• Основан на «Phoenix», но только с 6-ядерным процессором
• TSMC 4 нм
• Кодовое имя «PHX2»
• 2-канальный DDR5 и LPDDR5
• 24 полосы PCIE 4.0
• Размер кристалла 137 мм²
• Судя по снимку корпуса, это гибридный процессор
• Используется в Ryzen 5 7540U, Ryzen 3 7440U и, возможно, в различных настольных APU Ryzen 3 и Ryzen 5 для AM5
• 15 Вт — 28 Вт TDP

AMD Zen 4 для Socket AM4

• Дата выхода: 2022 или 2023
• На базе процессорных ядер Zen 4 в паре IO-кристаллом Zen 3
• Поддержка DDR4 и PCIe Gen 4

AMD Zen 5 / Ryzen 8000-серии [обновлено]

• Дата релиза: 2024 г.
• Техпроцесс TSMC 5 нм или 3 нм
• 5-нм или 3-нм процесс TSMC
• Поддержка памяти DDR5
• PCI-Express Gen 5
• Кодовое: «Granite Ridge»
• 16 ядер Zen 5 на двух CCD
• Другое кодовое имя «Strix Point» может иметь основной дизайн big.LITTLE, похожий на Alder Lake
• Strix Point представляет собой гибридную архитектуру с 4 P-ядрами и 8 E-ядрами
• P-ядра и E-ядра используют одни и те же инструкции и всё остальное, только отличаются размером кэша и тактовыми частотами
• Ещё одна утечка говорит о том, что Strix Point представляет собой монолитную конструкцию 12/24
• «Strix Halo» — мобильная SoC с 16 ядрами Zen 5, 40 CU GPU, 256-битной памятью LPDDR5X, TDP 120 Вт
• Strix Halo — это настольный Zen 5 с другой матрицей ввода-вывода
• Strix Point IGP основан на архитектуре RDNA 3.5
• 16 CU в IGP
• Кодовое имя серверной платформы: «Turin»
• Кодовое имя CCD: Eldora
• Кодовое название ядра: Nirvana
• Использует сокет SP5 для сервера, сокет AM5 для десктопа
• CCD построены на 4 нм TSMC
• Размер кристалла 224 мм²
• Возможна усадка до 3 нм позже в течение срока службы продукта
• Также может быть построен на 3 нм TSMC
• Кэш 3DV включен в определенные SKU
• Новый интерфейс с улучшенным параллелизмом
• Все процессоры поставляются со встроенной графикой
• Улучшенный предсказатель ветвлений
• Предполагаемый прирост IPC 15%
• Оценка производительности ставит Zen 5 на 30% впереди Zen 4
• Возможно, тот же кристалл ввода-вывода, что и в Zen 4 Ryzen 7000
• Усовершенствования AI/ML, возможно, аппаратное обеспечение с фиксированными функциями на основе IP Xilinx, называемое AIE (ускоритель вывода AI)
• Phoenix Point построен на 5-нм TSMC с графикой RDNA3
• Связанность: XDNA, первая архитектура FPGA с ускорением искусственного интеллекта от Xilinx
• Идентификатор семейства 26h

AMD Zen 5 Threadripper/Threadripper 8000

• Дата выпуска: 2025 г.
• Кодовое название: Shimada Peak
• Архитектура Zen 5
• Тот же сокет, что и у Zen 4 Threadripper

AMD Zen 6 [обновлено]

• Дата выпуска: Неизвестно
• Кодовое имя: Morpheus
• Увеличение IPC на 10% по сравнению с Zen 5
• Новые возможности FP16
• 32-ядерный CCX
• Кодовое имя сервера: Venice
• EPYC использует Socket SP7

Intel Raptor Lake Refresh Mobile [добавлено]

• Дата выхода: вероятно, на выставке CES в январе 2024 г.
• Core i7-14700HX
• Базовая мощность 55 Вт, максимальная турбо мощность 175 Вт

Intel Grand Ridge

• Дата выхода: 2023 год, может быть отменен
• По 7 нм техпроцессу HLL+
• Преемник Atom «Snow Ridge»
• 24 ядра в 6 кластерах по 4 пути в каждом
• 4 МБ L2 на кластер плюс кэш L3
• Использует ядро процессора Gracemont
• Двухканальный DDR5
• PCI-Expres Gen 4 с 16 полосами

Intel Meteor Lake

• Дата выхода: 14 декабря 2023 г.
• Вероятно, сначала для мобильных устройств (2023), а для ПК позже (2024)
• «Записано» по состоянию на май 2021 г.
• Первая пробный продакшен: ноябрь 2021 г.
• «Включение» во втором квартале 2022 г.
• Преемник «Alder Lake»
• Нет high-end SKU, только 35 Вт и 65 Вт
• Предложениями уровня high-end по-прежнему будет Raptor Lake
• В настольные ПК не поставляется
• Новая микроархитектура P-ядер, «Redwood Cove», на два поколения опередившая «Golden Cove»
• Серьезные улучшения IPC для P и E ядер
• E-ядра — Crestmont
• Гибридный процессор — архитектура big.LITTLE
• Мультичип-модуль с использованием технологии упаковки Foveros
• Производится по разным процессам, на разных фабриках, даже не Intel
• Четыре отдельных плитки, промежуточный модуль на базе 22-нм процессора Intel
• Вычислительная плитка на Intel 4 (7 нм), 6P+16E, GNA 3.5 для ИИ
• Графическая плитка на TSMC N5
• Поставляется с автономным медиаблоком
• Плитка SOC на TSMC 6 нм (содержит контроллер памяти, PCIe и т. д.)
• Плитка ввода-вывода на TSMC 6 нм
• Встроенная графика использует архитектуру Xe-LPG, «распределение мощности Adaptix», поддержку трассировки лучей, но без XeSS
• iGPU имеет 128 EU на частоте 2.0 ГГц, использует архитектуру Xe MTL, вдвое быстрее, чем Raptor Lake
• Boost-Частота iGPU до 2.2 ГГц
• Другая утечка предполагает наличие 128 EU на частоте 2.1 ГГц
• PCI-Express 5.0, 20 полос, плюс 12 полос Gen 4
• Использует чипсет Z890, который обеспечивает ещё 24 полосы
• DDR5 + LPDDR5X
• Настраиваемый TDP от 20 до 65 Вт
• «Ultra 9» (т.е. Core i9) развивает частоту до 5/0 ГГц
• Повышение энергоэффективности на 50% по сравнению с Raptor Lake
• Использует новый сокет LGA1851, сохраняет совместимость кулера с LGA1700
• Крепежное давление увеличено почти вдвое, что должно способствовать теплоотводу, но может потребовать нового крепежного комплекта
• Архитектура VPU на основе разработок Movidius
• Под торговой маркой «14-е поколение»
• Бренд Intel «Core i-» заменяется на «Core Ultra»
• Core Ultra 7 1002H: 6P+10E, 16 ядер, 22 потока
• Core Ultra 7 1003H
• Core Ultra 9 185H — 16/22 при частоте 5.1 ГГц
• Core Ultra 7 165H — 16/22
• Core Ultra 7 155H, Ultra 7 165H, Ultra 9 185H
• Добавляет поддержку Wi-Fi 7
• В конце 2020 года Intel добавляет поддержку Meteor Lake в ядро Linux
• iGPU будет использовать 8 или 4 ядра Xe
• Может поддерживать кэш L4
• Кэш L4 может находиться внутри интерпозера под кодовым названием «Adamantine»

Intel Rialto Bridge

• Дата выпуска: Отменено с марта 2023 г.
• GPU центра обработки данных с искусственным интеллектом и высокопроизводительными вычислениями
• До 160 ядер Xe
• ОАМ 2.0
• Использует тайловый подход, аналогичный Sapphire Rapids

Intel Falcon Shores

• Дата выпуска: неизвестна
• Преемник Ponte Vecchio
• Центр обработки данных AI и HPC «XPU»
• Раньше это был CPU + GPU, теперь только GPU
• Ethernet, до 288 ГБ HBM3 со скоростью 9.8 ТБ/с
• Поддержка FP8 и FP16
• Объединяет несколько тайлов различной архитектуры

Intel Arrow Lake

• Дата выпуска: 2024 или 2025 г.
• Преемник «Meteor Lake»
• Используется архитектура Lion Cove P-Core
• Используется архитектура Skymont E-Core
• Количество ядер до 8P+16E
• P-ядра повышают производительность
• Те же E-ядра, что и у Meteor Lake
• Построен на техпроцессе Intel 20A
• 3 МБ кэша L2 для каждого ядра P-Core
• Графическая плитка, построенная на 3-нм TSMC
• Использует тот же сокет LGA1851, что и Meteor Lake, сохраняет совместимость с кулером LGA1700
• Arrow Lake HX (ARL-HX, для мобильных устройств) использует BGA2114
• Новый стандарт регулятора напряжения процессора «Gen 5 VR»
• От 6% до 21% быстрее, чем Raptor Lake-S
• Новые инструкции для AI, AVX VNNI с преобразованием INT8/INT16, AVX-IFMA и AVX-NE. SHA512, SM3 и SM4
• Использует чипсеты Z890, B860 и H810, H870 отменен

Intel Lunar Lake [обновлено]

• Дата релиза: 2025 или 2026 г.
• Преемник «Arrow Lake»
• Живая демонстрация показана на мероприятии Intel InnovatiON в сентябре 2023 г.
• Использует процесс Intel 18A в сочетании с внешними литейными сервисами
• Lunar Lake Mobile (LNL-M) использует BGA2833
• Новые инструкции для AI, AVX VNNI с преобразованием INT8/INT16, AVX-IFMA и AVX-NE. SHA512, SM3 и SM4 (такие же, как Arrow Lake)
• Добавляет общее шифрование хранилища (TSE) и инструкцию PBNDKB
• Утечка информации о конфигурации с низким энергопотреблением: 17 Вт, 4+4, 20c 3.91 ГГц + 2.61 ГГц, 5M, 3.3 ГГц IMC, 4x 2.5 МБ + 4 МБ L2, 2x 8 МБ L3

Intel Panther Lake

• Дата выпуска: 2026 или 2027
• Преуспевает за «Lunar Lake»
• Процессоры Intel Core 17-го поколения
• iGPU использует графическую архитектуру Xe3 «Celestial»

Intel Emerald Rapids

• Дата выхода: Q4 2023
• Преемник Sapphire Rapids
• До 64 ядер Raptor Cove
• 66 ядер физически, но по одному на кристалл осталось для харвестинга
• Для предприятия/центра обработки данных
• Расширения доверенного домена Intel (TDX)
• 8-канальная память DDR5 на более высоких скоростях
• PCI-Express 5.0 с 80 полосами
• Процесс Intel 7 (10 нм)
• Та же платформа, что и у 4-го поколения Xeon (Sapphire Rapids)
• Та же платформа, что и у 4-го поколения Xeon (Sapphire Rapids)
• Тот же сокет LGA4677
• Вместо множества чиплетов только дизайн с двумя вычислительными кристаллами
• Размер кэша увеличен, 5 МБ L3 на ядро

Intel Granite Rapids

• Дата выхода: 2-я пловина 2024 г., после Sierra Forest
• Для предприятия/центра обработки данных
• Преемник Sapphire Rapids
• До 120 P-ядер Redwood Cove (те же ядра, что и у Meteor Lake)
• Granite Rapids AP поддерживает до 2 процессоров, 12 каналов DDR5 на процессор, DDR5 6400 МБИТ/с 1 DPC / 5200 МБИТ/с 2 DPC, 24 модуля DIMM на процессор
• Другая утечка предполагает до 128 ядер
• 8-канальный DDR5
• TDP до 500 Вт
• 88 полос PCIe 5.0
• Пакет BGA4368 (припаянная, без сокета)
• Процессоры Granite Rapids-SP с сокетами используют LGA 4710
• В Granite Rapids-AP используется Socket BR с 7529 контактами
• Сам Granite Rapids — это просто компьютерный кристалл без контроллера памяти для таких приложений, как Ethernet. Контроллер памяти действительно добавляется для вариантов HCC (high-core-count) и XCC (extreme core count). HCC имеет 1 MC с 4 каналами, XCC имеет 2 MC с 8 каналами
• Intel 3 узла (4 нм)
• Только P-ядра
• Название платформы: Eagle Stream
• Платформа Granite-Rapids AP: Birch Stream-AP

Intel Sierra Forest [обновлено]

• Дата выхода: H1 2024
• Выборка по состоянию на март 2023 г.
• Преемник Sapphire Rapids Xeon
• Для облачных, серверных и корпоративных вычислений с высокой плотностью и эффективностью
• Название платформы: Birch Stream
• Использует сокет LGA-7529
• TDP до 500 Вт
• 12-канальная память
• Процесс Intel 3
• 288 ядер в модели XCC
• 144 ядра
• Только E-Core, без P-Core
• E-Core представляют собой архитектуру Crestmont
• Основана на чиплетах, как Meteor Lake
• 5 плиток: 2 вычислительных, 2 IO + 1 межсоединение
• Вычислительные плитки на Intel 3
• Каждая плитка имеет 36 кластеров Sierra Glen E-Core, 108 МБ разделяемой памяти L3, 6-канальную DDR5
• Каждый кластер E-Core имеет 4 ядра с 4 МБ L2 общего доступа и одним сегментом 3 МБ L3
• SMT отсутствует
• Вычислительные плитки: 578 мм², плитки ввода-вывода: 241 мм²

Intel Lunar Lake

• Дата выхода: 2024 год или позже
• ЦП мощностью 15 Вт со сверхнизким энергопотреблением
• Дизайн ориентирован на производительность на Вт
• Процесс Intel 18A или TSMC

Intel Clearwater Forest

• Дата выхода: 2025
• Процесс Intel 18A

Процессоры NVIDIA Arm для настольных систем [добавлено]

• Дата выхода: 2025 г.
• NVIDIA планирует создавать процессоры Arm для использования в настольных компьютерах
• Поддерживается операционная система Microsoft Windows

Графика/GPU

---

NVIDIA GeForce RTX 4050

• Дата выхода: лето, июнь 2023 г.
• Использует 5-нм графический процессор AD107
• 6 ГБ GDDR6, 128-бит

NVIDIA GeForce RTX 4070 Super [добавлено]

• Дата выхода: 2023 или 2024 г.
• Предназначена для заполнения промежутка между RTX 4070 и RTX 4070 Ti

NVIDIA GeForce RTX 4070 Ti Super [добавлено]

• Дата выхода: 2023 или 2024 г.
• Вероятно, основан на AD103

NVIDIA GeForce RTX 4080 Super [добавлено]

• Дата выхода: 2023 или 2024 г.
• Объём VRAM 20 ГБ, 320-бит
• Основан на GPU AD102

NVIDIA GeForce RTX 4090 Ti / RTX Titan Ada

• Дата выпуска: Возможно, отменен
• Использует графический процессор AD102 (такой же, как RTX 4090)
• 18432 ядра, 568 Tensor-ядер, 142 RT-ядра
• 24 или 48 ГБ GDDR6X, 384-битная
• 600 Вт
• Огромный 4-слотовый кулер на FE
• 22 тепловые трубки, три вентилятора

NVIDIA Blackwell

• Дата выпуска: 4 квартал 2024 г.
• Ориентирован на вычисления (а не на игры)
• Вероятно, построен на 3-нм техпроцессе TSMC
• Графические процессоры: GB202, GB203, GB205 и GB206
• GB204 отсутствует
• 512-битный интерфейс памяти на флагманском GPU

NVIDIA Ada Next

• Дата выхода: 2025
• Следующая архитектура GeForce от NVIDIA

AMD Radeon RX 7500 XT

• Дата выпуска: неизвестна
• Использует графический процессор Navi 33

AMD Radeon RX 7600 XT 10 ГБ и 12 ГБ [добавлено]

• Дата выпуска: неизвестно
• PowerColor зарегистрировала такие модели в ЕЭК

AMD Radeon RX 7950 XT / XTX

• Дата выпуска: неизвестна
• Использует графический процессор Navi 31

AMD RDNA 4 / Radeon RX 8000 серия [обновлено]

• Дата выпуска: 2024 г.
• Использует семейство графических процессоров Navi 4x
• Упор на игровой производительности, без перебора с искусственным интеллектом
• Улучшения в draw-вызовах
• Возможно, не планируется выпуск high-end GPU, только x700 и ниже
• Планируются только Navi 43 и Navi 33

AMD RDNA 4c

• Дата выхода: Возможно, отменена
• Ещё большее воплощение чиплетного дизайна
• Отдельные кристаллы для шейдерных движков (SED) и мультимедиа и IO (MID)
• Плашки для шейдерных движков могут быть построены на 3-нм техпроцессе TSMC
• Используется активный интерпозер (AID)

AMD CDNA 3

• Дата выпуска: 2023 г.
• Архитектура, ориентированная на вычисления GPU
• Объединение ядер ЦП x86 с вычислительными блоками GPU
• 5-нм техпроцесс TSMC для вычислительных кристаллов
• 6-нм I/O кристалл
• Infinity Cache
• Унифицированная память между CPU и GPU
• Производительность искусственного интеллекта на ватт до 5 раз выше, чем у CDNA2
• HBM-память
• До 8 кристаллов, соединенных вместе
• Ускоритель МИ300 будет запущен к июню 2022 года, первый запуск в третьем квартале
• Дизайн APU (сочетает в себе кристаллы графического процессора, базовую логику и CPU CCD в одном корпусе)

Архитектура Intel Alchemist+ Architecture

• Дата выхода: 2023
• Обновленная архитектура «Alchemist»
• Может быть на улучшенном узле, лучше, чем TSMC 6 нм
• Возможно, более высокая частота ядер при том же количестве ядер

Intel Battlemage Architecture [обновлено]

• Дата выхода: 2024 г.
• Преемник архитектуры «Алхимик»
• Новая архитектура
• Более новый литейный узел и более высокая производительность
• Два варианта: «Xe2 HPG» (высокопроизводительный) и «Xe2 LPG» (маломощный)
• Xe2 LPG впервые будет использован в Meteor Lake IGP
• Количество ядер Xe удвоилось до 64 или 1024 EU
• Тактовая частота до 3 ГГц
• Улучшения IPC и новые математические форматы
• 256-битная память, высокая частота памяти
• Кодовое имя графического процессора: BMG-G10
• Используется распаянный BGA2362
• Два варианта: BGA2362-BMG-X2 и BGA2727-BMG-X3
• Изготовлено по техпроцессу TSMC 4 нм

Intel Celestial Architecture

• Дата выхода: H2 2026
• Дискретная архитектура GPU
• Преемник архитектуры «Battlemage»
• Также называется «Xe3 HPG»
• Изготовлен на базе TSMC N3X (3 нм)
• Ориентация на сегмент «Ультра энтузиастов»
• 8192 шейдера, в 2 раза больше, чем у A770

Intel Druid Architecture

• Дата выхода: Не ранее 2025 г.
• Дискретная архитектура GPU
• Преемник «Celestial» архитектуры.
• Также называется «Xe Next HPG»

Zhaoxin — дискретный GPU

• Дата релиза: неизвестно
• Дискретный GPU
• Производство на 28 нм процессе
• TDP 70 Вт
• На базе графического IP VIA S3

Чипсеты

---

Чипсеты Intel 800-серии

• Дата выхода: 2024
• Чипсет для процессоров Arrow Lake
• Модели: Z890, B860, H810
• H870 отменен

Память

---

Системная память DDR6

• Дата выхода: неизвестно
• Четыре канала на модуль (в 2 раза больше, чем у DDR5, в 4 раза больше, чем у DDR4)
• 64 банка
• Скорости от 12800 МТ/с, до 17 000 МТ/с с OC

GDDR6+ графическая память

• Дата выхода: неизвестно
• Продакшн: 2021 г.
• До 24000 МТ/с
• Производственный процесс: 1z нм

Графическая память GDDR6W

• Дата выпуска: неизвестна
• Основан на технологии Samsung Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP)
• Устанавливает кремниевые кристаллы памяти на пластину вместо печатной платы
• До 22 Гбит/с на контакт
• С 512-битным интерфейсом это будет 1.4 ТБ/с
• До 24 000 МТ/с
• Может быть переименована в GDDR6+

Графическая память GDDR7

• Дата выхода: H1 2024
• Скорость: 36 000 МТ/с
• Первое поколение достигает 32 Гбит/с при напряжении 1.2 В, что ниже, чем 1.35 В у GDDR6
• Со временем до 50 000 млн транзакций в секунду
• Использует сигнализацию PAM3
• «Функция защиты от ошибок в реальном времени», может быть какая-то ECC?
• Повышенная энергоэффективность
• Будет использоваться NVIDIA GeForce 50 и AMD RDNA4
• Частоты чтения могут быть настроены на «всегда работающие», «отключенные», «начинать с запуска RCK», «начинать с чтения»
• 1ß производственный узел
• Samsung использует узел D1z, 10-нм класс с EUV
• Способен выдавать команды параллельно
• Micron: 16- и 24-гигабитные матрицы, до 32 Гбит/с на контакт

Графическая память HBM3e [добавлено]

• Дата выпуска: 2023 и 2024 г.
• То же, что и HBM3, но с более высокими скоростями
• Samsung: до 9.8 Гбит/с
• Hynix
• Используется в NVIDIA GH200

Графическая память HBM4 [добавлено]

• Дата выпуска: 2025 г.
• Samsung: сборка на основе непроводящей пленки (NCF) и гибридное медное соединение (HCB)
• В качестве проводника и оксидного изолятора используется медный слой вместо обычных микровыступов

Технология изготовления кристалла

---

TSMC 4 нм+

• Tape outs: 2-е полугодие 2022 г.
• Кодовое имя «N4P»
• Повышение производительности на 11% относительно N5, на 6% по сравнению с N4
• На 22% больше мощность по сравнению с N5
• На 6% выше плотность, чем у N5

TSMC 3 нм [обновлено]

• Апрель 2020: по плану
• Рискованное производство: H2 2021
• Производство в больших объёмах: H2 2022 г. (подтверждено на апрель 2022)
• Технология FinFET
• «FinFlex» предлагает стандартные ячейки с конфигурацией ребер 3-2 для производительности, 2-1 для мощности, 2-2 для балансировки
• Использует третье внедрение EUV (Extreme Ultra Violet) на TSMC
• В зависимости от ячейки FinFlex: повышение скорости на 11–33 %, снижение мощности на 12–30%, увеличение площади от 0.64x до 0.85x
• 30 000 в месяц на старте, 105 000 к 2023
• Размер пластины 12″
• Масштабирование SRAM затруднено, структуры не могут быть значительно меньше
• Будет также производиться на новом заводе в Аризоне в 2026 г.
• Intel объявила, что разместила два заказа на процессоры на основе этого процесса
• Семь клиентов по состоянию на август 2022 (Apple, AMD, Broadcom, Intel, MediaTek, NVIDIA и Qualcomm)
• TSMC N3E делает приличные успехи, теперь в 2023 году
• Согласно новому отчету, и Samsung, и TSMC испытывают трудности с выходом на 3 нм техпроцесс

TSMC 3 нм+

• Дата выхода: 2023 г.
• Первым клиентом станет Apple

TSMC 2 нм

• Дата выхода: 2023 г. (риск-продакшн)
• Объёмы производства: 2025 г.
• Июнь 2020 г: TSMC ускоряет исследования и разработки
• Сентябрь 2020: начало строительство фабрики
• Будет использоваться технология Gate-All-Around (GAA)
• Архитектура многомостового канального полевого транзистора (MBCFET)
• Повышение скорости на 10-15% по сравнению с N3 при той же мощности или на 25-30% мощности при той же скорости
• Нанолистовые транзисторы

TSMC 1 нм

• Дата выхода: примерно 2027 или 2028
• Грандиозное строительство: 2026
• Использует полуметаллический висмут для контактных электродов
• Планирование плана чипирования началось с ноября 2022
• Может быть узел длиной 1.4 нм, который округляется до «1 нм»

Samsung 6 нм

• Дата выхода: неизвестно
• Первый продукт выписан со второго квартала 2019
• Использует EUV (Extreme Ultra Violet)
• Специальный вариант для клиентов

Samsung 5 нм

• Дата выхода: 2021
• Готов к изготовлению образцов для клиентов по состоянию на 2 квартал 2019
• В производстве с 4 квартала 2020
• Сложности с урожайностью по состоянию на 2 квартал 2020
• Доходность ниже 50% по состоянию на 3 квартал 2021
• Планы построить фабрику в Остине, штат Техас, за 18 миллиардов долларов.
• Использует EUV (Extreme Ultra Violet)
• До 25% плотность 7 нм
• Снижение энергопотребления на 20%
• На 10% выше производительность

Samsung 4 нм

• Дата выпуска: H1 2023
• Используется Google Tensor G3 SoC в Pixel 7
• Используется AMD

Samsung 3 нм [обновлено]

• Массовое производство: H1 2022
• «Начальное производство» началось 30 июня 2022
• Использует транзисторы Gate All Around FET (GAA), Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)
• На 45 % меньше энергии при повышении производительности на 23 %
• На 35% меньше места в кристалле, занимаемом одним транзистором (относительно 7 нм)
• На 16% меньше места в кристалле занимаемом одним транзистором (относительно 5 нм)
• 3-нм 2-го поколения ожидается в 2025 году, снижает энергопотребление на 50%, повышает производительность на 30%, уменьшает площадь на 35%
• Samsung заявляет о 60-70% доходности по состоянию на май 2023
• В июле 2023 г. Samsung заявила о 60%-ной производительности, отметив, что это лучше, чем у TSMC
• Согласно новому отчёту, и Samsung, и TSMC борются с производительностью своего 3-нм узла

Samsung 2 нм

• В стадии разработки с октября 2021 г., серийное производство в 2025 г.
• Использует полевой транзистор с несколькими мостами (MBCFETTM)

Samsung 1.4 нм

• В планировании по состоянию на октябрь 2022
• Массовое производство: 2027
• GAA (gate-all-around)
• Интеграция 2.5D/3D
• Micro-bumps

Intel 4 (7 нм)

• Дата выхода: 2023 г.
• Использует EUV (Extreme Ultra Violet)
• 4-кратное снижение правил проектирования
• Планируется использовать на нескольких продуктах: CPU, GPU, AI, FPGA, сети 5G
• Используется для Meteor Lake
• Двойное количество транзисторов для той же площади
• 20% производительности / Ватт по 10 нм SuperFin («Intel 7»)
• Прирост частоты 21% при 0.65 В, 10% при 0.84 В
• На 40 % меньше энергопотребление на частоте 2.1 ГГц
• Январь 2021 года: Intel сообщает «проблемы исправлены»
• Июль 2021 г.: Intel переименовывает этот процесс в «Intel 4».

Intel 3

• Дата выхода: 2023 г.
• Использует EUV (Extreme Ultra Violet)
• Возможно, всё ещё 7-нм узел с улучшениями
• 18% производительности / Ватт против Intel 4
• Плотная библиотека HP

Intel 20A

• Дата выхода: первое полугодие 2024 г.
• 20 Angstrom = 2 нанометра
• Новые транзисторы под названием RibbonFET
• PowerVia для подключения кремниевых кристаллов

Intel 18A

• Дата выпуска: H2 2024
• 18 Ангстрем = 1.8 нанометра

Остальное

---

Toshiba/WD 5-Bit-per-Cell NAND Flash (PLC)

• Дата выхода: отложена до 2025 г.
• Хранит дополнительный бит информации на ячейку (по сравнению с QLC)
• 32 на ячейку
• Позволит ещё более дешевые SSD, возможно, с более высокой производительностью

Toshiba XL-Flash

• Разработка Toshiba
• Использует существующую технологию SLC flash для уменьшения задержек
• Латентность 1/10 чтения TLC
• Хорошо подходит для случайных IOPS и лучшего QoS при малой глубине очереди
• Может комбинировать SLC и TLC/QLC для многоуровневого, экономичного хранения
• Конкурент Intel Optane
• 128-гигабитный (Gb) кристалл (в упаковке с 2, 4 и 8 кристаллами)
• Размер страницы 4 КБ для более эффективной чтения и записи операционной системы
• 16-плоскостная архитектура для более эффективного параллелизма
• Быстрое чтение страниц и время программирования

Kioxia / WD 218-слойная 3D NAND Flash

• Дата выхода: 2023
• Выборка по состоянию на март 2023
• Использует технологию CMOS, напрямую связанную с массивом
• 1 ТБ TLC и QLC
• Плотность увеличена на 50%
• 3.2 ГБ/с
• 20% улучшение производительности записи и задержки чтения

Toshiba 162-слойная 3D NAND Flash

• Дата выхода: 2021
• WD обещает массовое производство в 2022
• Разработано Toshiba в партнёрстве с Western Digital
• Называется «6-е поколение»
• Fab 7, которая производит эти чипы, теперь работает с октября 2022
• На 10% лучшая плотность массива боковых ячеек
• Уменьшение размера кристалла на 40% по сравнению со 112-слойной технологией
• 10% уменьшение задержки чтения
• Использует размещение CMOS схемы под массивом и работу в 4 плоскостях
• Снижает стоимость бит на 70%

Hynix 238-слойная 3D NAND Flash

• Дата выпуска: 2023
• Массовое производство: июнь 2023
• 2.4 Гбит/с
• 21% меньше энергии
• На 20 % выше скорость
• Отправка образцов 512 ГБ по состоянию на 22 августа
• 1 Тб в 2023 году
• На 34 % выше эффективность производства
• Будет использоваться в твердотельных накопителях PCIe 5.0

Hynix 321-слойная 3D NAND Flash [обновлено]

• Дата выпуска: 1-полугодие 2025 г.
• Скорость передачи увеличена со 164 МБ/с до 194 МБ/с
• Ёмкость 1 Тб с TLC
• 20 Гбит/мм²
• На 41% больше бит, на 13% меньше задержка чтения, на 12% выше производительность программ, на 10% выше энергоэффективность чтения
• Размер страницы 16 КБ, 4 плоскости
• 2400 МТ/с
• Изготовлены из трех стопок по 107 слоев в каждой

Samsung 236-слойная 3D NAND Flash

• Дата выхода: 2022
• V-NAND 8-го поколения
• ТСХ, пропускная способность 1 Тбит
• Вероятно, 236 слоев
• Будет использоваться на SSD PCIe 4.0 и 5.0
• Скорость 2/4 Гбит/с (на 20% выше, чем у 7-го поколения)

300+-слойная 3D NAND флэш-память Samsung [добавлено]

• Дата выпуска: 2024 г.
• V-NAND 9-го поколения
• Техпроцесс 11 нм

Intel CXL Interconnect

• Новое соединение для устройств с высокой пропускной способностью, таких как графические процессоры
• Ориентирован на предприятия и серверы
• Конкурент NVLink, Infinity Fabric и PCI-Express
• Использует физический уровень PCIe
• Канальный уровень, разработанный для малой задержки
• 32 Гбит/с на полосу, на направление (как PCIe Gen 5.0)
• Samsung анонсировала пакет для разработки масштабируемой памяти с открытым исходным кодом (SMDK) в октябре 2021 года

PCI-Express 6.0

• Дата выхода: 2022
• Версия Spec 1.0 опубликована по состоянию на январь 2022
• Версия Spec 0.9 опубликована по состоянию на октябрь 2021
• Версия Spec 0.5 опубликована по состоянию на февраль 2020
• Версия Spec 0.7 опубликована по состоянию на ноябрь 2020
• Необработанная скорость передачи 64 ГТ/с, до 256 ГБ/с с x16
• Rambus имеет готовый IP-адрес контроллера с января 2022
• У Rambus есть PHY и контроллер, готовые к октябрю 2022
• Включает прямое исправление ошибок с малой задержкой (FEC) с дополнительными механизмами для повышения эффективности полосы пропускания
• Поддерживает обратную совместимость со всеми предыдущими поколениями технологии PCIe
• Новый физический уровень с PAM4 (pulse amplitude modulation), заменяющей NRZ (non-return to zero)

PCI-Express 7.0

• Дата выпуска: 2025
• Версия 0.3 выпущена в июне 2023
• Спецификация находится в процессе с 2022
• Необработанный битрейт 128 ГТ/с, до 512 ГБ/с с x16
• PAM4 сигнализация
• Улучшенная энергоэффективность
• Обратная совместимость со всеми предыдущими версиями PCIe