Кристалл I/O контроллера AMD Ryzen 3000 «Matisse» оказался 12 нм, вместо 14 нм

Как уже доподлинно известно, процессоры AMD Ryzen 3000 «Matisse» представляют собой многочиповые модули, состоящие из одного или двух кристаллов – 7 нм 8-ядерных CPU чиплетов «Zen 2», а так же одного I/O контроллера вмещающего в себя: контроллер 2-канальной памяти DDR4, комплекс PCI-Express gen 4.0 и встроенный южный мост, выдающий некоторые операции I/O SoC. К их числу относятся: два порта SATA 6 Gbps, четыре порта USB 3.1 Gen 2, LPCIO (ISA) и SPI (для чипа UEFI BIOS ROM). Так вот, как сообщалось ранее, чиплеты будут строиться на 7 нм процессе, а сей пресловутый I/O контроллер станет 14 нм. Однако есть информация, что I/O контроллер будет построен на более продвинутом 12 нм процессе, вероятней всего GlobalFoundries 12LP. То есть это же процесс, на котором AMD строит свои чипы Pinnacle Ridge и Polaris 30. Известно точно, что за производство 7 нм процессорных чиплетов «Zen 2» возьмётся TSMC.

К слову AMD так же представила весьма любопытную информацию о создании MCM «Matisse», в частности, получив три очень сложных комплекса кристаллов под IHS пакет настольного мэйнстрим процессора и идеально совместив для совместимости с более старыми поколениями процессоров Ryzen AM4, использующих монолитные кристаллы, такие как «Pinnacle Ridge» и «Raven Ridge». Для своих 8-ядерных CPU чиплетов AMD внедрила новые медные 50 мкм стойки, оставив I/O контроллер с обычными 75 мкм. В отличие от своих графических процессоров, которым требуется проводка высокой плотности между GPU и стеками HBM, AMD может обойтись без кремниевого промежуточного устройства или TSV (сквозных кремниевых переходных отверстий) для подключения трех кристаллов на «Матиссе». Подложка из стекловолокна теперь «подпитывает» до 12 слоев, чтобы упростить межкомпонентную разводку, а также убедиться, что каждое соединение достигает правильного контакта с µPGA.